...
机译:出版者注:“晶体硅中本征载流子密度温度依赖性的重新评估” [J.应用物理115,093705(2014)]
Université de Lyon, Institut de Nanotechnologies INL-UMR5270, CNRS, INSA de Lyon, Villeurbanne F-69621, France;
机译:出版者注:“镍污染对高载流子寿命n型晶体硅的影响” [J.应用物理111,033702(2012)]
机译:出版者的注释:“ Sm-Co /α-Fe纳米复合厚膜磁体的磁性和微观结构,该磁体由700多个层组成” [J.应用物理115,17A748(2014)]
机译:发行人注:“全氟聚醚润滑剂二元共混物的分子流变学分析” [J.应用物理115,17B738(2014)]
机译:载流子密度空间异质性对晶体硅太阳能电池电击穿的影响:实验与仿真
机译:勘误表:硅纳米线生化场效应晶体管中1 ∕ f噪声机制的温度依赖性。物理来吧97243501(2010)
机译:出版商注:“重新评估晶体硅中的内在载流子密度温度依赖性”J。苹果。物理。 115,093705(2014)