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Publisher's Note: “Reassessment of the intrinsic carrier density temperature dependence in crystalline silicon” [J. Appl. Phys. 115, 093705 (2014)]

机译:出版者注:“晶体硅中本征载流子密度温度依赖性的重新评估” [J.应用物理115,093705(2014)]

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2014年第14期|11-5|共5页
  • 作者单位

    Université de Lyon, Institut de Nanotechnologies INL-UMR5270, CNRS, INSA de Lyon, Villeurbanne F-69621, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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