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机译:紫外线范围内的C平面GaN / AIN量子点中的载波动力学的暗水平捕获,横向限制和内置电场贡献
Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg UMR 7504 CNRS-Universite de Strasbourg 23 rue du Loess BP 43 F-67034 Strasbourg France;
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Institute of Physics Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL CH-1015 Lausanne Switzerland;
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Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg UMR 7504 CNRS-Universite de Strasbourg 23 rue du Loess BP 43 F-67034 Strasbourg France;
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机译:高AIN摩尔分数的GaN / AlGaN量子阱中内置电场的影响
机译:垂直和横向排列的InGaN / GaN量子点中内置极化电势的特性
机译:横向电场下横向耦合的InGaAs / GaAs量子点分子的非均质约束
机译:嵌入式电场和极性(0001)和半极(11-22)AL_(0.5)GA_(0.5)N / GaN量子点的辐射效率
机译:有效抑制GaN基发光二极管的效率下降:显着降低载流子密度和内置场的作用
机译:合金c平面III-N量子点和阱中的内置场控制