机译:掺氟对通过SiH4 / O-2 / NF3化学反应进行高密度等离子体化学气相沉积制得的二氧化硅的影响
Hynix Semicond Inc, Memory R&D Div, Ichon Si 467701, Kyungki Do, South Korea;
OXIDE-FILMS; SIOF FILMS; DIELECTRIC-CONSTANT; THIN-FILMS; ABSORPTION; WATER;
机译:氟对高密度等离子体化学气相沉积法(包括NF_3)制备的浅沟槽隔离特性的影响
机译:氟掺杂对使用等离子增强化学气相沉积系统由TEOS / O-2 / CF4混合物制备的SiOxFy膜的影响
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法在无氮二氧化硅基质中形成尺寸受控的硅纳米晶体
机译:锗掺入对等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅锗薄膜的影响
机译:对二氧化硅膜的热化学气相沉积(CVD)和多晶硅膜的高密度等离子体CVD过程中颗粒形成和传输的研究。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:由SiH4 + NH3 + O2气体混合物形成的等离子体辅助化学气相沉积氮氧化硅膜