机译:负栅极偏压下栅极材料对Fowler-Nordheim应力引起的薄二氧化硅降解的影响
Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China;
IMPACT IONIZATION; SI-SIO2 INTERFACE; SIO2; OXIDE; GENERATION; METAL;
机译:应用负漏极偏压抑制非晶InGaZnO薄膜晶体管中负栅极偏压引起的退化和照明应力
机译:漏极偏压对非晶InGaZnO薄膜晶体管中负栅极偏压和照明应力引起的退化的影响
机译:多栅极多晶硅薄膜晶体管中增强的负偏置应力衰减
机译:漏极偏置应力导致非晶硅薄膜晶体管中漏极偏置应力引起的退化
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:90nm工艺中负偏压温度应力诱导降解和失配对pmOsFET的影响