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机译:通过构建原位光发射光谱和Ar气团簇离子束溅射集成分析系统直接比较研究有机半导体/电极界面在未占据/占据状态下的能级排列
Analytical Science Laboratory of Samsung Advanced Institute of Technology, PO Box 14-1, Yongin 446-712, South Korea;
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机译:通过构建原位光发射光谱和Ar气团簇离子束溅射集成分析系统直接比较研究有机半导体/电极界面在未占据/占据状态下的能级排列
机译:结合Ar气体团簇离子束溅射的光发射光谱法直接分析接触位置对有机半导体/电极界面能级取向的影响
机译:基于摄影光谱基于AR气体聚束离子束溅射探测有机半导体/电极界面在有机半导体/电极界面的能量水平控制效应持续性
机译:通过光发射光谱法确定有机界面的前沿轨道对准:区分界面偶极子,能带弯曲和与电荷相关的光谱位移
机译:通过X射线和uv光发射光谱表征异质结:单层和混合单层SAM,硒化镉纳米颗粒薄膜和有机半导体沉积的能级影响。
机译:状态的有机半导体密度控制电极界面的能级对齐
机译:校正:用AR气体聚束离子束溅射原位光扫描光谱直接表征石墨烯掺杂状态
机译:用光电发射光谱法测定反应有机半导体界面的轨道阵容