机译:锗从局部来源扩散而生长的SiGe岛的塑性弛豫极限延迟
CNISM-Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32,I-20133 Milano, Italy,Physical Biology Center for Ultrafast Science and Technology, Arthur Amos Noyes Laboratory of Chemical Physics, California Institute of Technology, Pasadena, California 91125, USA;
IMM-CNR, Stradale Primosole 50,I-95121 Catania, Italy;
CNISM-Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32,I-20133 Milano, Italy;
CNR-IFN, LNESS, Via Anzani 42,I-22100 Coma, Italy;
Dipartimento di Scienza dei Materiali and L-NESS, Universita Milano-Bicocca, via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy;
Dipartimento di Scienza dei Materiali and L-NESS, Universita Milano-Bicocca, via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy;
Department of Sciences at the Universita Roma Tre, Via Vasca Navale 79, 00146 Roma, Italy;
CNISM, LNESS, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano (Polo di Como), Via Anzani 42, I-22100 Como, Italy;
ICFO-The Institute of Photonic Sciences, Av. Carl Friedrich Gauss, 3, E-08860 Castelldefels (Barcelona), Spain;
Dipartimento di Scienza dei Materiali and L-NESS, Universita Milano-Bicocca, via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy;
Dipartimento di Scienza dei Materiali and L-NESS, Universita Milano-Bicocca, via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy,UMET, University of Lille 1, Villeneuve d'Ascq, France;
CNISM-Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32,I-20133 Milano, Italy;
机译:评估在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中塑性弛豫开始的延迟
机译:监测由局部来源的锗表面热扩散生长的自组装SiGe岛的动力学演变
机译:图案化Si基板上的延迟塑性松弛:具有主导{111}面的相干SiGe金字塔
机译:局部MBE-生长的SiGe异质结构的无缺陷应变松弛
机译:非局部时滞反应扩散方程的波动解。
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛