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机译:由于无限自适应的晶体结构,Ta_2O_5电阻存储器件中的氧空位扩散得到增强
San Jose Research Center, HGST, a Western Digital company, San Jose, California 95135, USA,Materials Science Program, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA;
San Jose Research Center, HGST, a Western Digital company, San Jose, California 95135, USA;
机译:通过调节顶部电极的氧空位浓度来增强AZO / ZnO / ITO透明电阻开关器件的存储窗口
机译:通过调节顶部电极的氧空位浓度来增强AZO / ZnO / ITO透明电阻开关器件的存储窗口
机译:氧气空缺控制单晶TiO2存储装置中电阻切换模式的转换
机译:与氧空位累积效应相关的基于氧化物的电阻式开关存储器件的耐久性下降的改善
机译:钛矿中的氧扩散:单晶中的晶格扩散和快速路径扩散。
机译:通过模板化的自下而上生长制造的自组装纳米结构的电阻式开关存储器件
机译:通过添加Fe3 +稳定LiCopo4纳米晶体的结构:Fe3 +表面层的形成,产生扩散增强空缺,并实现高压电池操作