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机译:偏压反应溅射中高能离子辐照在Al_2O_3(001)上生长的VO_2薄膜的绝缘体-金属过渡的大改性
Graduate School of Science and Technology, Tokai University, Hiratsuka 259-1292, Japan;
Graduate School of Science and Technology, Tokai University, Hiratsuka 259-1292, Japan;
Graduate School of Frontier Biosciences, Osaka University, Suita 565-0871, Japan;
Graduate School of Frontier Biosciences, Osaka University, Suita 565-0871, Japan;
GREMAN, UMR 7347 CNRS, Universite Francois Rabelais de Tours, Parc de Grandmont, 37200 Tours, France;
GREMAN, UMR 7347 CNRS, Universite Francois Rabelais de Tours, Parc de Grandmont, 37200 Tours, France;
机译:射频衬底偏置对蓝宝石(001)上反应溅射VO_2薄膜的绝缘体-金属过渡行为的影响
机译:蓝宝石(001)在反应溅射中生长的VO_2薄膜中的强应变(011)取向晶粒中的持久M2相
机译:在反应溅射中在蓝宝石(001)上生长的vo_2薄膜中的强烈紧张(011)的持续M2相位,在反应溅射中
机译:过渡金属掺杂TiO {Sub} 2通过反应溅射沉积外延生长的薄膜
机译:反应磁控溅射生长外延TiN(001)层的表面形貌演变。
机译:超薄溅射金属对酚醛树脂薄膜的金属绝缘体转变:生长形态与表面自由能和反应性的关系
机译:在反应溅射中在蓝宝石(001)上生长的vo2薄膜中的持久性m2相 - 在反应溅射中的vo2薄膜中
机译:通过溅射和在α-铁 - 氮化物相中评估巨磁性矩在硅(001)上外延生长的铁 - 氮化物薄膜的物理性质;博士论文