机译:质子离子液体/氧化物电双层界面上氢化诱导的表面极性识别和质子记忆行为
Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan, Japan Science and Technology Agency (CREST), Kawaguchi 332-0012, Japan, and WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577 Japan;
机译:质子离子液体/氧化物电双层界面上的氢化诱导表面极性识别和质子记忆行为
机译:在氧化物/电解质界面上简单离子吸附的理论描述中的1-pK和2-pK质子化模型:表面电荷,各个离子的等温线和伴随的电子因子行为的比较研究
机译:在氧化物/电解质界面上简单离子吸附的理论描述中的1pK和2pK质子化模型:研究氧化物表面高能异质性的作用
机译:金属氧化物表面对水热条件的质子化行为
机译:质子和有机砷在氧化物-溶液界面的平衡吸附和传质。
机译:疏水界面处的水延缓了质子从表面到本体的转移并提供了质子横向扩散的途径
机译:金属氧化物表面对水热条件的质子化行为
机译:固体电解质/电极接口:通过UHV-aFm,表面光谱和计算机模拟分析的原子行为。氧化物薄膜电池中阴极/电解质界面的计算和实验研究;和原子级