机译:通过柱状缺陷在用80meV Xe离子照射的GDBCO涂覆的导体中具有定向依赖性形态的强助焊剂
Kumamoto Univ Fac Adv Sci & Technol Kumamoto 8608555 Japan;
Kumamoto Univ Fac Adv Sci & Technol Kumamoto 8608555 Japan;
Kumamoto Univ Fac Adv Sci & Technol Kumamoto 8608555 Japan;
Kumamoto Univ Fac Adv Sci & Technol Kumamoto 8608555 Japan;
Tohoku Univ Aoba Ku Katahira 2-1-1 Sendai Miyagi 9808577 Japan;
Kwansei Gakuin Univ 2-1 Gakuen Sanda Hyogo 6691337 Japan;
SHI ATEX Co Ltd 1501 Imazaike Saijo Ehime 7991393 Japan;
Kyushu Univ Fukuoka 8190395 Japan;
Kyushu Univ Fukuoka 8190395 Japan;
Japan Atom Energy Agcy JAEA Tokai Ibaraki 3191195 Japan;
机译:由74 MeV Ag辐照的YBa2Cu3O7涂层导体中的不连续柱状缺陷引起的焊剂钉扎
机译:涂覆导体应用外延YBa_2Cu_3O_7-δ薄膜中助焊剂钉扎特性随柱状缺陷密度的变化而变化,该缺陷由自组装的纳米点和纳米棒组成
机译:B ||范围内的八字形缺陷的通量钉扎特性c轴到B || GdBCO涂层导体中的ab平面
机译:由3.5 GeV Xe辐照的QMG-YBCO中的柱状缺陷引起的涡旋重耦合
机译:分子动力学模拟分析了辐照引起的碳纳米结构缺陷及其对纳米力学和形态学特性的影响。
机译:集成的代谢组学-DNA甲基化分析揭示质子辐照后心脏和海马左心室中氨酰基-tRNA生物合成的长期长期依赖组织的方向变化
机译:200 meV ag + 15离子辐照产生柱状缺陷并增强 La-2125型超导薄膜的临界电流密度
机译:透射电子显微镜研究580 meV sn离子辐照YBa2Cu3O(7-delta)中的磁通钉扎缺陷