机译:具有4d过渡金属元素的I_2-Ⅵ半导体中的透明,半金属和室温铁磁体的材料设计
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
first-principles calculation; 4d transition metal; magnetoptical effect; transparent; half-metallic and room-temperature ferromagnetism; anti-CaF_2 I_2-Ⅵ compound; material design;
机译:居里温度高的透明半金属铁磁4d过渡金属掺杂的设计
机译:基于ZnTe和CdTe半导体的三元过渡金属化合物中的半金属铁磁性
机译:由4d过渡金属元素Zr_2RhZ(Z = Al,Ga,In)组成的反向Heusler合金的鲁棒半金属性能
机译:低电阻率P型ZnO和透明铁磁体的材料设计,具有过渡金属原子掺杂ZnO:预测与实验
机译:将4d和5d过渡金属氰基金属盐掺入磁性簇和材料中。
机译:使用金属半导体接口将非铁磁材料组装到铁磁架构
机译:量子异常霍尔和铁磁半金属相(111) 4d和5d过渡金属钙钛矿的双层