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机译:考虑光依赖分流电阻的近红外成像应用中具有灵敏度提高的InGaAs / InP光电晶体管的无源像素的设计和光学特性
Nanoscale Quantum Device Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Seongnam, Kyunggi 463-816, Korea;
passive pixel; photodetector; phototransistor; highly sensitive; InGaAs; InP;
机译:具有改进的光学灵敏度和分流电阻的1 x 128 In_(0.53)Ga_(0.47)As / InP光电探测器线性阵列的设计和表征
机译:InGaAsP / InP van逝模波导光隔离器及其在InGaAsP / InP / Si混合e逝光隔离器中的应用
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机译:320x240像素InGaAs / InP焦平面阵列,用于短波红外和可见光成像
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:对称基于INP的量子点磁光表征量子通信应用
机译:InP / InGaAs HBT光电晶体管的性能增强,具有改进的基极接触设计