机译:掺杂钾的MgO薄膜对交流等离子显示屏中放电特性的影响
Department of Advanced Materials Engineering, Korea Polytechnic University, Shihung 429-793, Korea;
MgO; ac-PDP; secondary electron emission; memory margin; K~+ doping;
机译:不同板晶体粉末在AC - 等离子展示板上的MgO晶体粉末电子发射特性分析
机译:AC-等离子显示面板中MgAl_2O_4 / MgO保护层的二次电子发射系数和溅射产率的特性
机译:掺杂锂离子的多孔MgO膜对交流等离子显示屏操作记忆裕度的影响
机译:Si,Sc,Cr掺杂对MgO薄膜结构,光学和放电特性的影响等离子体显示板的保护层
机译:气体放电显示器的记忆特性
机译:铜绿假单胞菌bofilms对环丙沙星和左氧氟沙星的顽固性比较显示出快速传输的特征。
机译:通过mgO保护层上的不连续旋涂LaB6薄膜降低交流等离子体显示板中的点火电压和减少放电延迟时间