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机译:利用谐振隧穿二极管/高电子迁移率晶体管集成技术的高速,低功率零归零延迟触发器电路
School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, San 56-1, Shinlim-dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, Korea;
delayed flip-flop; RTD; HEMT; InP;
机译:利用谐振隧穿二极管/高电子迁移率晶体管集成技术的高速和低功率源耦合场效应晶体管逻辑型不归零延迟触发器电路
机译:使用基于InP的谐振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管异质结构的高速数字电路
机译:80 Gbit / s光电延迟触发器电路,采用谐振隧穿二极管和单行进载流子光电二极管
机译:将InAs / AlSb / GaSb谐振带间隧穿二极管与异质结构场效应晶体管集成在一起,以用于超高速数字电路应用
机译:增强和耗尽型高电子迁移率晶体管的单片集成,适用于晶格匹配的磷化铟材料系统中的低功耗和高速电路应用。
机译:高速柔性电子设备的几层二硫化钼晶体管和电路
机译:RTD / CMOS纳米电子电路:集成了CMOS电路的基于InP的薄膜谐振隧道二极管
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章