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机译:白色-红色-绿色-蓝色横向溢出集成电容器,互补金属氧化物半导体图像传感器,具有独立于颜色的曝光和广谱高灵敏度
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
rnGraduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
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机译:使用横向溢出集成电容器的2.8μm像素间距55 ke〜-全容量全局快门互补金属氧化物半导体图像传感器
机译:带有横向溢出集成电容器的互补金属氧化物硅图像传感器的像素缩放
机译:具有70-DB SNR CMOS图像传感器的高近红外敏感性,具有横向溢流集成沟槽电容
机译:使用横向溢出积分电容器改善100 dB动态范围CMOS图像传感器的灵敏度和线性度
机译:利用全局反馈的CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器的模拟读出方法
机译:具有120-ke-全阱容量的160-μV/ e-转换增益2.8-μm背面照射像素具有横向溢流集成电容
机译:具有70-DB SNR CMOS图像传感器的高近红外敏感性,具有横向溢流集成沟槽电容
机译:盛放在电荷耦合器件成像仪中。对于具有时间延迟和积分的低亮度CCD成像器,例如LOpaTCH传感器,给出了开花控制建议。