机译:使用可制造工艺制造的短沟道非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管阵列的状态密度
Samsung Display, YE Team, Asan 336741, Chungnam, South Korea|Univ Michigan, Solid State Lab, Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;
Samsung Display, YE Team, Asan 336741, Chungnam, South Korea;
Univ Michigan, Solid State Lab, Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;
机译:用于超高清有源矩阵液晶显示器的短沟道非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管阵列:电性能和稳定性
机译:具有a-SiOx或a-SiOx / a-SiNx钝化层的半Corbino短沟道非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管
机译:使用非常薄的非晶In-Ga-Zn-O沟道的薄膜晶体管的工作特性
机译:使用暴露于臭氧退火并在高氧气压力下制造的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的光辐照和施加电压历史传感器
机译:使用溅射沉积氧化锌制造的薄膜晶体管。
机译:纳米粒子和铜电极中诱导金属增强非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率
机译:用于非晶氧化物薄膜晶体管的通道/金属化界面处的载流子密度可调功效缓冲器
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。