机译:在直接键合的InP / Si衬底上外延生长的InAs / InP量子点的电流注入光发射
Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Chiyoda, Tokyo 102-8554, Japan;
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机译:在InP(411)A衬底上生长的GaAs / InAs短周期超晶格中自形成的量子点发出的1.3-1.6μm发光的波长控制
机译:Si衬底上高质量InP的外延生长:InAs / InP量子点作为有效位错滤光片的作用
机译:通过分子束外延生长在InP衬底上生长的增强对称InAs量子点状结构的电子结构,形态和发射极化
机译:使用MOVPE在直接键合的InP / Si衬底上InAs量子点的S-K生长
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:在InP(3 1 1)B衬底上生长的自组装InAs量子点:缓冲层的作用和InAs的沉积量
机译:改善Inp基板上的Inas量子点的点尺寸均匀性和发光