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机译:随时间变化的介质击穿中缺陷聚类影响的寿命分布参数估计的两步概率图
Univ Electrocommun, Infopowered Energy Syst Res Ctr, Chofu, Tokyo 1828585, Japan;
机译:基于两步概率图和多链路测试方案的场加速时变介电击穿寿命分布的统计评估方法
机译:带有分布缺陷的时变介质击穿的寿命分布参数的贝叶斯推断
机译:百年衰减时间介质分布参数的贝叶斯推断,具有聚类缺陷的时间依赖性介电故障
机译:缺陷对TDDB中两步概率图的审查对寿命分析的影响
机译:加工引起的损伤对低k有机硅酸盐的导电机理和时间依赖性介电击穿的影响。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:在击穿电压遵循3参数Weibull分布时估计介电击穿电压。
机译:参数概率分布估计的近似方法比较