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机译:勘误表:“基于MEMS光学干涉术的压力传感器,该传感器使用通过干转移技术开发的弹性体纳米片” [Jpn。 J.应用物理57,010302(2018)]
Toyohashi Univ Technol, Dept Elect & Elect Informat Engn, Toyohashi, Aichi 4418580, Japan;
JST PRESTO, Chiyoda Ku, Tokyo 1020076, Japan;
Waseda Univ, Dept Life Sci & Med Biosci, Grad Sch Adv Sci & Engn, Shinjuku Ku, Tokyo 1628480, Japan;
Waseda Univ, Dept Life Sci & Med Biosci, Grad Sch Adv Sci & Engn, Shinjuku Ku, Tokyo 1628480, Japan;
Toyohashi Univ Technol, Dept Elect & Elect Informat Engn, Toyohashi, Aichi 4418580, Japan;
机译:基于MEMS光学干涉法的压力传感器,采用通过干转移技术开发的弹性体纳米片
机译:勘误表:“通过极性InGaN / GaN量子阱中局部电场波动增强光致发光增宽的直接证据” [Jpn。 J.应用物理57,020305(2018)]
机译:勘误表:“线缺陷二维压电声子晶体中表面声波的电学检测和分析” [Jpn。 J.应用物理57,034001(2018)]
机译:基于弹性体的MEMS法布里-珀罗干涉仪,用于通过干转移技术进行物理和生物传感
机译:错误:“在ALN模板上生长的293 nm AlGaN UVB LED的外部量子效率提高”JPN。 J. Appl。物理。 58,SAAF01(2019)