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机译:基于65nm CMOS的10mW 3.9dB NF变压器V波段低噪声放大器
Univ Elect Sci & Technol China Sch Elect Sci & Engn Chengdu 611731 Peoples R China;
CMOS; Gm-boosting technique; integrated circuit (IC); low-noise amplifier; transformer; V band;
机译:2.99 DB NF 15.6 DB增益3-10GHz超大宽带低噪声放大器,用于65 nM CMOS中的UWB系统
机译:在65-NM CMOS中为0.5-6.5GHz 3.9-DB NF 7.2-MW主动下转换混合器
机译:7.2 mW CMOS低噪声放大器,增益为17.3 dB,NF为7.7 dB,适用于76-77 GHz远程和77-81 GHz短程汽车雷达
机译:具有5.3dB NF和65nm RF CMOS的8kV ESD保护的V波段低噪声放大器
机译:基于数控人工介电层的57-65GHz可重配置CMOS mQAM发射机和变压器耦合功率放大器
机译:神经放大器的低截止频率降低:CMOS 65 NM中的分析和实施
机译:A 25.1 DBM 25.9-DB增益25.4%PAE X波段功率放大器利用65-NM CMOS中的电压组合变压器