首页> 外文期刊>International journal of hydrogen energy >Response to comments on 'Reduced band gap & charge recombination rate in Se doped α-Bi_2O_3 leads to enhanced photoelectrochemical and photocatalytic performance: Theoretical & experimental insight' [Int J Hydrogen Energy 42 (2017) 20638-20648]
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Response to comments on 'Reduced band gap & charge recombination rate in Se doped α-Bi_2O_3 leads to enhanced photoelectrochemical and photocatalytic performance: Theoretical & experimental insight' [Int J Hydrogen Energy 42 (2017) 20638-20648]

机译:对“ Se掺杂的α-Bi_2O_3的带隙减少和电荷复合率降低导致光电化学和光催化性能增强:理论和实验的见解”的评论[Int J Hydrogen Energy 42(2017)20638-20648]

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  • 来源
    《International journal of hydrogen energy》 |2018年第1期|470-471|共2页
  • 作者单位

    Amity Univ, Amity Inst Nanotechnol, Sect 125, Noida 201303, Uttar Pradesh, India;

    Jarnia Millia Islamia, Ctr Nanosci & Nanotechnol, New Delhi 110025, India;

    Natl Phys Lab, Elect Mat Div, Semicond Bldg,Room 2, New Delhi 110012, India;

    Amity Univ, Amity Inst Nanotechnol, Sect 125, Noida 201303, Uttar Pradesh, India;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:18:05

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