机译:不同温度和加热时间下热氧化过程中铜的正态光谱发射率研究
Henan Normal Univ, Coll Phys & Mat Sci, Infrared Optoelect Sci & Technol Key Lab Henan Pr, Xinxiang 453007, Henan, Peoples R China;
Copper; Spectral emissivity; Oxide layer; Heating time; Temperature;
机译:毫秒分辨脉冲加热实验中的光谱辐射法和激光偏振法在高温下同时测量正态光谱发射率:在钼和钨中的应用
机译:Ni基合金高温氧化过程中的正常光谱发射特性
机译:在空气中800至1100 K的温度范围内,模拟表面氧化对316L钢在1.5微米下的正光谱发射率的影响
机译:脉冲加热条件下,钨在室温至熔点范围内在633 nm处的正常光谱发射率变化
机译:在40-290开氏温度范围内,通过RBS通道角度扫描研究了正常状态下高Tc超导体镧锶锶铜氧化物在正常状态下的非相干晶格涨落。
机译:高光谱热红外数据的温度和发射率分离的改进的线性光谱发射率约束方法
机译:加热温度和时间对热改性铜尾矿磷吸附能力的影响
机译:5-三氟甲基四唑阴离子与一些二价过渡金属离子形成的配合物的研究。一些取代苯甲酸铜(Ⅱ)配合物的磁化学和光谱研究。具有取代的吡啶n-氧化物的铜(II)卤化物配合物