机译:JFET区域中电流分布不均匀的功率SiC DMOSFET模型
University of South Carolina, Columbia, SC, USA;
Current spreading region; DMOSFET; nonuniform current distribution; silicon carbide (SiC);
机译:4H-SiC DMOSFET栅极氧化物和JFET区的电场分布模型
机译:SiC JFET基于物理的模型,该模型考虑了电场相关的迁移率
机译:SiC功率JFET和IC的现状和未来展望
机译:功率SiC DMOSFET模型解决了JFET区域电流分布不均匀的问题
机译:MHD磁盘生成器中的电流分布和不均匀性影响。
机译:非均匀分布抽样:统计学习中的首要效应的神经效率解释
机译:SiC功率DMOSFET的高温电气和热老化性能以及应用注意事项
机译:siC DmOsFET和JFET的高温性能比较(预印)