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【24h】

Phosphide and Nitride Devices in 2002

机译:2002年的磷化物和氮化物装置

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摘要

In this article the business and technology of Ⅲ-Ⅴ semiconductor devices will be overviewed. In particular, those based on InP and on GaN. These two materials are both a modern day success story but so far only in optoelectronics. To date, their potential for use in microelectronic devices has yet to migrate successfully from the laboratory into commercial production.
机译:本文将概述Ⅲ-Ⅴ族半导体器件的业务和技术。特别是那些基于InP和GaN的器件。这两种材料都是现代成功的典范,但到目前为止仅在光电领域。迄今为止,它们在微电子设备中使用的潜力尚未成功地从实验室转移到商业生产中。

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