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室温ナノインプリント技術

机译:室温纳米压印技术

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摘要

ナノインプリント転写材料として水素シルセスキオキサンポリマ(hydrogen silsequioxane(HSQ)(Dow Corning Co.,FOX))スピン塗布膜を用いた転写技術と,HSQ液滴塗布膜を用いた転写技術を開発した.HSQスピン塗布膜を転写材料として用いることで,熱サイクル,光照射を必要とせずに室温でナノインプリントが可能である.HSQ室温ナノインプリントパターンは,そのプロファイルが200℃以上の加熱により崩れてしまったが,あらかじめ酸素プラズマ照射を施すことにより,1000℃以上の加熱においてもその方形を崩すことなく,転写後のプロファイルを維持させることに成功した.しかしながらHSQスピン塗布膜を転写材料として用いる場合,HSQ転写深さがモールド線幅に依存し,更に,高転写圧力をかけても線幅10μmを超えるマイクロパターンの転写が極めて困難など,問題もあった.そこで,HSQ液滴塗布膜を用いた新しいナノインプリントプロセスを提案した.転写材料に液滴を使用するため,低圧力でモールド形状に忠実なHSQパターン成形が可能である.HSQ液滴塗布膜を用いたナノインプリント技術により,線幅25nmから線幅300μmの幅広いサイズのパターンの形成に成功した.更には,新規のナノインプリントはく離剤として,モールド上に表面エネルギーが低く,硬い材質であるという特徴をもったフッ素含有ダイヤモンドライクカーボンを,モールド上にコーティングしたものを新たに提案し,そのモールドを用いて熱インプリントを行うことに成功した.
机译:我们已经开发了使用氢倍半硅氧烷(HSQ)(道康宁公司,FOX)旋涂膜作为纳米压印转移材料的转移技术,以及使用HSQ液滴涂膜的转移技术。通过使用HSQ旋涂膜作为转移材料,可以在室温下进行纳米压印,而无需进行热循环或光照射。在200℃以上加热破坏了HSQ室温纳米压印图案的轮廓,但是通过预先施加氧等离子体辐射,即使在1000℃以上加热,转印后的轮廓仍保持不破坏正方形。我成功做到了。然而,当使用HSQ旋涂膜作为转印材料时,存在诸如HSQ转印深度取决于模具线宽度的问题,并且即使施加高的转印压力,也难以转印超过10μm的线宽度的微图案。它是。因此,我们提出了一种使用HSQ液滴涂膜的新型纳米压印工艺。由于将液滴用作转印材料,因此可以在低压下实现忠实于模具形状的HSQ图案形成。通过使用HSQ液滴涂膜的纳米压印技术,我们成功地形成了线宽从25 nm到线宽300μm的各种图案。此外,作为新的纳米压印脱模剂,我们新提出了一种涂覆有含氟类金刚石碳的模具,该模具具有低表面能并且是模具上的硬质材料的特征。成功进行热压印。

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