InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性

摘要

InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の温度特性はこれまで多く調べられ，報告されているが，InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタ(HPT)の温度特性についてはほとんど報告例がない.本研究では，白色光に対する光応答の高感度検出への応用を目的に，InGaP/GaAs HPTを作製し，300～400Kの温度範囲でInGaP/GaAs HPTの電流利得β及び受光感度Sを測定した.その結果，電流利得βは温度とともに減少し，受光感度Sは320Kまで増加するがその後は減少した.これらの実験結果は，HPTの三端子等価回路により説明された.また，HBTにおいて露出した高濃度GaAsベース表面でのキヤリャの再結合を抑制し，電流利得を高めるエミッタレッジパッシベーションのHPTにおける効果も検証した.エミッタレッジパッシベーションは，HPTにおいても全ての測定温度で高い電流利得β及び受光感度Sを維持するのに有効であった.特にエミッタレッジパッシベーションは，HBT以上にHPTの高性能化に貢献することが明らかとなった.