机译:通过Sb倾斜植入进行浇口延伸扩展重叠控制
Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University, Higashihiroshima-shi, 739-8527 Japan;
MOSFET; extension; gate; overlap; tilt implantation; Sb;
机译:通过倾斜注入控制SB延伸-栅极重叠
机译:SB Extension-Gate通过倾斜植入重叠控制
机译:采用45度倾斜注入和OI-ELA激活进行S / D的栅极重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT
机译:SB倾斜植入的门延伸重叠控制
机译:使用主动流量控制来改善倾斜翼倾斜转子飞机的能力
机译:CorrInsights®:严重后向骨盆倾斜患者的倾斜调整杯抗逆转率与ILIOPSOAS冲击的风险有关:三维植入模拟
机译:椭圆形测量在离子植入过程中缺陷动力学的原位控制 - SB离子植入单晶GE中紊乱和腔结构的演化