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机译:在发射极基异质结附近具有高TV型掺杂层的InP / InGaAs HBT的性能
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, 243-0198 Japan;
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InP; InGaAs; HBT; turn-on voltage;
机译:在两个间隔层之间具有δ掺杂片的InP / InGaAs异质结双极晶体管的高性能
机译:超高f / sub T /和f / sub max /新型自对准InP / InGaAs HBT,具有通过ALE / MOCVD生长的高度掺杂的基极层
机译:通过化学束外延生长具有高碳掺杂基极的高性能InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:高ZN和C掺杂基层INP / Ingaas异质结双极晶体管可靠性的比较研究
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:金属有机化学气相沉积生长的掺锌和掺碳InP / InGaAs HBT的直流和高频性能比较
机译:用于HBT中子集合区域的mOCVD生长si掺杂n + Inp层。(重新公布新的可用性信息)