400mW級GaN系青紫色半導体レーザ

摘要

青紫色レーザを光源とするBlu-rayディスクシステムの高速記録化・多層記録化の開発が進展している。これらのシステムを実現するために、青紫色レーザの高出力化が強く要請されている。今回、新規端面保護膜構造の導入および長共振器化と同時に内部損失の低減を図ることにより、電流-光出力特性において、スロープ効率低下による動作電流の上昇を低減し、光出力450mW以上（25～80℃、パルス発振）のキンクフリーの特性を得た。また、光出力450mW（80℃、パルス駆動）において1000時間以上安定に動作することを確認した。%Development of high speed recording and large capacity recording for Blu-ray optical disc systems using blue-violet laser diodes have progressed. A high-power blue-violet laser diode is required strongly to achieve these systems. We have fabricated blue-violet laser diodes with high-power characteristic on GaN substrates by using new facet coating structure and reducing the internal loss in the device and making long cavity length. These laser diodes have high reliability for more than 1000h with a light output power of 450 mW at 80 ℃ under pulsed operation.