GaN HEMTを用いた5.8GHz帯F級増幅器の設計・試作

摘要

本研究では，マイクロ波を用いた無線送電を目的とした，5.8GHzのISMバンドにおけるF級増幅器を高電圧動作が可能で高効率動作が期待出来るAlGaN／GaN HEMTと組み合わせ設計・試作した．F級増幅器の要である負荷回路は，低損失樹脂基板上に設けられたマイクロストリップ線路によって構成され，試作したF級増幅器は5.7GHzにおいて，最大付加電力効率68.3％，出力33.8dBmと高効率動作を示した．本報告では，このF級増幅器の設計・試作そして得られた特性について述べる．%We have developed the class-F high-efficiency amplifier using an AlGaN/GaN HEMT at 5.8 GHz for microwave power transmission. Because of their higher operating voltage, GaN devices are expected to have higher operating efficiency as compared to GaAs devices. The fabricated amplifier using a low-loss resin microstrip sub strate validated high efficiency expectations with a maximum power added efficiency of 68.3%, and output power of up to 33.8 dBm at 5.7 GHz.