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X帯船舶レーダ用400WGaN固体化増幅器

机译:X帯船舶レーダ用400WGaN固体化増幅器

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摘要

総務省殿から電波資源拡大のための研究開発を委託され,固体素子を用いたX帯船舶用レーダの研究開発を行っている.この研究開発において,パルス動作のX帯固体化増幅器を開発した.これまで主流であったGaAs(ガリウム砒素)FETではなく,1デバイスで120W以上の電力が出力可能なGaN(窒化ガリウム)HEMTを採用し,4並列合成により9.4GHzにおいて400Wの電力を出力する固体化増幅器を実現している.サイズは187×140×48m~3と非常に小型であり,これにより船舶に積載するレーダ装置の小型化が可能となった.%We have developed a solid-state power amplifier (SSPA) for X-band marine radar systems employing new gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) of over 120W. The developed SSPA achieved the peak output power exceeding 400W; in combination of four GaN HEMTs; under pulse operation at 9.4GHz. The SSPA is small with the dimensions of 187x140x48 mm3; which enables reduction of the size of marine radar units. This result is part of R&D for improving the frequency utilization efficiency; which is a contract research from the ministry of internal affairs and communications.
机译:内务和通信部已委托研发来扩展无线电资源,并正在研究和开发使用固态元件的舰船X波段雷达,并在此研发中开发了脉冲操作X波段固态放大器。代替目前为止已成为主流的GaAs(砷化镓)FET,采用可以在一个设备中输出120W或更高功率的GaN(氮化镓)HEMT,并通过4个并行合成以9.4GHz输出400W功率。我们已经实现了尺寸小至187×140×48 m〜3的固态放大器,这使得可以将船上雷达设备小型化。%我们已经开发了固态功率放大器(SSPA),用于X波段船用雷达系统,采用超过120W的新型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),开发的SSPA达到峰值输出功率超过400W;四个GaN HEMT组合;在脉冲操作下, 9.4GHz.SSPA尺寸较小,尺寸为187x140x48 mm3;可以减小船用雷达单元的尺寸;此结果是研发工作的一部分,旨在提高频率利用效率;这是内政部与国防部的一项合同研究通讯。

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