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アクティブフェイズドアレイアンテナ用小型高出力増幅器の試作

机译:有源相控阵天线小型大功率放大器的试制

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摘要

Small and high power 5.8GHz band amplifier circuit for active integrated phased array antennas are designed and fabricated. Ahigh power two-stage amplifier circuit was designed with FLC167WF. The maximum output power of it is 31dBm (1.3W) at 5.8GHz with gain of 13dB. Two-stage amplifier was designed with FET chip. Its P1dB is 27dBm with gain of 23dB. In purpose of downsizing, 5.8GHz MMIC amplifier and 14GHz MMIC amplifier were also designed.%高出力アクティブフェイズドアレイアンテナの小型化のために、GaAsFETを用いたマイクロ波増幅回路の小型高出力化の検討を行った。パッケージ化された高出力FETおよびファウンダリーにより試作したチップFETを用いた5.8GHz用高出力増幅回路の試作、評価を行い、利得13dB、最大出力31dBmの高出力増幅回路と利得23dB、出力 27dBmの中電力用途増幅回路が得られた。また、増幅回路の小型化への検討として5.8GHz用増幅MMICおよび14GHz帯用の増幅MMICを設計した結果についても報告する。
机译:设计并制作了有源集成相控阵天线的小功率大功率5.8GHz频带放大电路,采用FLC167WF设计了大功率两级放大器电路,在5.8GHz时其最大输出功率为31dBm(1.3W),增益为13dB。采用FET芯片设计的两级放大器,其P1dB为27dBm,增益为23dB;为了缩小尺寸,还设计了5.8GHz MMIC放大器和14GHz MMIC放大器。另外,我们研究了使用GaAs FET的微波放大器电路的小型化和高输出。我们使用封装的高输出FET和使用铸造厂进行原型制作的芯片FET对5.8 GHz的高输出放大电路进行了原型设计和评估。获得了用于中功率应用的放大器电路。另外,我们将报告设计5.8GHz放大MMIC和14GHz频带放大MMIC的结果,作为缩小放大电路尺寸的研究。

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