有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成

摘要

我々は多結晶Siに特有な粒界を横切る電荷の輸送機構を評価する為に、SiFETの製作プロセスの低温化に取り組んだ。具体的には、ソースとドレインにショットキー接触を採用し、さらにゲート絶縁膜には有機絶縁膜であるポリメチルメタクリレート（PMMA）を用いることで、形成温度を100℃以下でFET特性を得るにいたった。本プロセスでLSIグレードの単結晶Si基板をもちいてFET試作を行った結果、チャネル移動度として84.2cm~2/Vsを得ており、キャリア輸送機構の評価のみならず、ディスプレイ用の薄膜トランジスタ用途にも使用できる可能性があることがわかった。