波長1.5μm帯無変調出力型~（13）C_2H_2（アセチレン）周波数安定化半導体レーザの発振特性

摘要

We demonstrate the frequency stabilization of a 1.5 μm laser diode (LD) with a low intensity noise and a narrow linewidth to a ~(13)C_2H_2 linear absorption line. The LD consists of an InP gain chip and an external Bragg reflector made of a PLC waveguide. By employing an external frequency modulator in a frequency stabilization circuit, an FM-eliminated optical output beam was obtained. The frequency stabilities reached as high as 2.3×10~(-11) for τ=1 s and 9.1×10~(-12) for τ= 100 s. Furthermore, a RIN of less than -135 dB/Hz, and a linewidth of 4 kHz were simultaneously achieved.%狭線幅かつ低振幅雑音特性を有する、無変調出力型アセチレン周波数安定化半導体レーザについて報告する。今回用いたInP半導体レーザは、ブラッググレーティングが書き込まれた平面光導波路を組み合わせた外部共振器構造となっている。本レーザのアセチレン分子吸収線（500MHz）への周波数安定化においては、外部変調方式による周波数安定化回路を用いることでレーザ出力光の無変調化を実現している。周波数安定化実験の結果、本安定化レーザの周波数安定度（アラン偏差）は積分時間が1秒において2.3×10~（-11）、10~2秒において9.1×10~（-12）であった。またその発振線幅（3dB帯域幅）は約4kHz、RIN（Relative Intensity Noise）特性は-135dB他以下であった。