積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討

摘要

強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを新たに提案した。読出し時に通過メモリセルのゲートにパルス入力を印加する方式が高速読出しに有効である事を示した。通過メモリのゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより、フラッシュメモリと同程度以上の積層数（16）と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる。新たに提案したパルス入力方式は、次世代のユニバーサルメモリを実現する技術として有望である。%Stacked type NAND structure 1 transistor FeRAM has been newly proposed. By using thee new read scheme featured by the pulse input for passed cell during read operation the high speed read operation can be achieved without sacrificing cell reliability. With the new read scheme fast read time of 10-20ns can be realized even if large stacked number of 16 has been adopted. This pulse input scheme is promising candidates for reading high speed stacked type NAND of structure 1 transistor FeRAM.