サブスレショルド電流で駆動する0.5VCMOSアナログ増幅器の試作評価

摘要

本研究では、バッテリー等の限られた電力で数年動作可能な極低電圧駆動LSIの実現に向け、サブスレショルド領域を用いた微小電流により、0.5V以下の極低電源電圧で入出力Rail-to-Rail動作が可能なアナログ差動増幅回路について、サブスレショルド動作時のMOSFETの動作点による回路動作の違いや設計指針について検証するために、single-well構造やtriple-well構造を利用できる65nm CMOS技術を用いて試作を行なったので、報告する。%In this paper, an 0.5V analog amplifier circuit using only sub-μA order subthreshold current for realizing ultra-low power analog/digital LSI system by using low output power supply, such as a battery, solar cell, and MEMS type power plant, is presented. In this circuit, it is designed and fabricated using double-well or triple-well structure 65nm CMOS process, and this circuit is estimated for subthreshold analog circuit characteristics and circuit design using body effect and the other short channel effect in subthreshold region.