50％比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ

摘要

X帯において50％の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構成を元にしており，これに広帯域化変成回路を備えたものである．本構成によれば，Series/Shunt-Shunt併用形スイッチの高耐電力・低損失性を維持しつつ，受信時の広帯域化を図ることが可能になる．提案する回路の有効性を検証するために，X帯T/RスイッチをGaN HEMTを用いて試作した.その結果，X帯比帯域50％において，送信時耐電力20W以上で挿入損失1.2dB以下，受信時挿入損失1.8dB以下の良好な特性が実現できた．%An X-band high-power T/R switch with bandwidth extension circuit has been developed. The proposed circuit is based on series/shunt-shunt configuration, and realizes broadband performance at Rx-mode while keeping high-power handling capability and low insertion loss. To verify this methodology, we have fabricated an T/R switch using GaN HEMT. The switch circuit has achieved the power handling capability of 20W, the insertion loss of 1.2dB at Tx-mode, and the insertion loss of 1.7dB at Rx-mode in the 50% bandwidth of X-band.