CMOS混載RF-MEMS可変容量

摘要

CMOSドライバーICを混載したRF-MEMS可変容量を開発した。CMOSドライバーICにはMEMSの駆動に必要な高電圧を合成する昇圧回路だけでなく、MEMSの信頼性を向上させる特殊な回路（IBA回路）を実装した。MEMS素子は半導体プロセスと親和性の高い静電駆動型を用いており、セルラー向けのパワーハンドリングとクリープ耐性を向上させるため、QSC構造という独自の構造を提案、採用した。さらに小型低コストで信頼性の高いパッケージングを行うため、WLP薄膜ドーム技術を適用した。%An RF-MEMS tunable capacitor with CMOS driver IC has been developed. In order to improve MEMS reliability, an IBA circuit has been proposed and implemented in CMOS driver IC. QSC structure has been also proposed to improve power handling and creep immunity. Furthermore WLP thin-film dome has been newly developed that provides small size, low cost, as well as higher reliability.