InGaP/GaAs HBT を用いた独立バイアス形カスコード電力増幅器、MMIC

摘要

カスコード回路構成において，両トランジスタ間に直流バイアスを給電することにより，トランジスタ間のバイアスを安定化させ，トランジスタのバイアスの設計範囲を拡げる手法を提案している．カスコード回路ブロックについて，ソースプル・ロードプル測定を行い，最適な信号源及び負荷インピーダンスを求め，InGaP/GaAs HBT を用いた1.9GHz 帯独立バイアス形カスコード電力増幅器MMICの設計し，ファウンドリにより製作を行った．両トランジスタのバイアス条件依存性に注目して測定を行い，本カスコード構成の特徴を検討した．また従来形との比較も行ったので合わせて報告する．%In cascode circuit configuration, the method to expand the design range of operation modes is proposed. This method can set independently bias voltages of two transistors by adding a DC bias node between two transistors. Using source-pull and load-pull measurement, the optimal source and load impedances and microwave performances for the InGaP/GaAs HBT cascode circuit were obtained. Based on these impedances, a 1.9-GHz-band cascode power amplifier MMIC was designed, fabricated and estimated. The dependence of microwave performances on both transistor bias conditions was estimated in detail. Also, performances of this cascode configuration were compared to the conventional cascode one.