非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製

摘要

In this study, we fabricated and charactrized nitride-based solar cells on a non-polar a-plane GaN template on an r-plane sapphire substrate. The InN mole fraction was 0.12. The J_( SC) of the nonpolar nitride based solar cell reached 4.8 mA/cm2. And the conversion efficiency showed a 1.6%.%MOVPE法によりr面サファイア上に非極牲面α面GaInN系太陽電池を作製し評価した．試料はn－GaN上に光吸収層Ga_(0.88)In_(0.12)N膜厚およそ120nm，その上にp－GaN100nnmを成長させた．太陽電池特性では短絡電流密度4．8mmA/cm~2が得られた．変換効率は1．6％であった．