GaN，SiCパワーデバイスの車載応用

摘要

パワーデバイスの性能は，ハイブリッド自動車や電気自動車のエネルギー効率を左右する。最近では，パワーデバイスの性能向上に向けて，Siに代わってGaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスの開発が活発に進められている。本報告では，ハイブリッド自動車などにおけるパワーデバイスの役割や要求される性能，最近の研究成果，将来展望を報告する。%A power switching device is one of the key elements to determine the performance of hybrid electric vehicles (HEVs) and pure electric vehicles (EVs). Recently, the power devices using wide-bandgap semiconductors, such as SiC and GaN, have been intensively developed for the future HEVs and EVs. In this paper, we review roles of the power devices in these automotive systems, the required device characteristics, and the recent status of SiC and GaN power devices.