準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果

摘要

In this study, we examined the effect of an external electric field on the crystal growth of pentacene under quasi-thermal equilibrium conditions. Pentacene crystals were grown by the vapor deposition method in a quartz tube with a temperature gradient, and under a static electric field. Pentacene crystal grew only on the surface of a low-electrical potential electrode both when +50 V was applied on one electrode and the other electrode was electrically grounded, and when - 50 V was applied on one electrode and the other electrode was grounded. Moreover, no microscopic pentacene crystal was observed when both electrodes were grounded. Effects of the static electric field on the crystal growth of pentacene were clearly observed.%本研究では、代表的な有機半導体材料であるペンタセンの電界による選択成長を目指し、準熱平衡条件下の結晶成長における外部電界の効果を検証した。基板上にあらかじめ作製した電極に電圧を印加した状態で、温度勾配をつけた石英管中でペンタセン結晶を気相成長させた。片側の電極に+50Vを印加し、もう片側の電極を接地した場合には、接地側にペンタセンの結晶成長がみられた。同様に片側を-50V、もう片側を接地した場合には、-50Vを印加した電極上にペンタセンの結晶成長が見られた。印加電圧が0Vの場合にはペンタセンの結晶は成長しなかった。極性を持たないペンタセンにおいても、準熱平衡条件下の結晶成長において外部電界の効果が観測された。