ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフオーム上モノリシック集積

摘要

Using low-temperature ECR PECVD technology, a silica-based AWG was monolithically integrated with germanium photodiodes on a Si photonic platform. We confirmed that the integrated AWG successfully demultiplex all of 16-wavelength channels and all of integrated GePDs received 1.25 Gbps PRBS signals with clear eye opening. In addition, we have mounted multi-channel transimpedance amplifiers and limiting amplifiers on the integrated photonic device using flip-chip bonding technology.%ECRプラズマCVD法による低温石英膜作製技術を用いて、Si光集積プラットフオーム上に石英系AWGとGePDのモノリシック集積デバイスを作製した。集積したAWGによって全16chの分波に成功し、全出力chに接続されたGePDにおいて1.25Gbps PRBS信号受信と良好なアイ開口が得られることを確認した。さらに、作製した光デバイス上に多チャネルトランスインピーダンスァンプ回路のフリップチップボンディングを行い、将来のワンチップWDMレシーバに向けた光電子集積デバイスの可能性にっいて検討した。