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広帯域ァンテナ集積共鳴トンネルダィォードのァレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析

机译:宽带天线集成谐振隧穿二极管阵列振荡器注入锁定和频率梳特性的大信号分析

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摘要

A THz range is a frequency region from 300GHz to 10THz and many applications are expected for wireless commu-nications, imagings, and so on. A resonant tunneling diode (RTD) is one of electron devices which can operate in the THz range. In 2011,a RTD integrated with an antenna with 1.11THz of oscillating frequency at room temperature has been reported. And, in 2012, THz band wireless communications by using a RTD integrated an antenna has been demonstrated for such as 542 GHz band and 3 Gbps data transmission. We are aiming at large-capacity THz band ultrawideband communications system by using compound semiconductor electron devices for a frequency comb. In this paper, we analyzed large-signal analysis for an array oscillator which is constructed RTDs integrated with wideband antennas in our studies to show properties of injection locking and frequency comb.%およそ300GHz~10THzまでのTHz帯と呼ばれる周波数領域は、超高速無線通信やイメージングなどへの応用が期待されている。この周波数領域で動作可能な電子デバイスとして共鳴トンネルダィォード(RTD)がある。2011年にRTDとアンテナを集積した発振源において室温下で1.11THzの基本波発振をした報告がある。また2012年に542GHzのTHz帯において通信容量3Gbpsの通信実験が報告されている。本研究では電子デバイスによる周波数コムを用いた大容量THz帯UWB通信を目指し、広帯域ァンテナ集積RTDを用いたアレイ化発振源の注入同期や周波数コム特性について明らかにすることを目的とし、大信号解析を行った。その結果、結合素子に抵抗を用い、抵抗値が200Ω以下であれば注入同期が可能であることが分かった。また周波数コム特性は本解析条件下では結合素子の抵抗値にほとんど影響しないことが分かつた。
机译:THz范围是从300GHz到10THz的频率范围,并且有望在无线通信,成像等许多应用中得到应用。谐振隧穿二极管(RTD)是可以在THz范围内工作的电子设备之一。在2011年,已经报道了集成有室温下具有1.11THz振荡频率的天线的RTD。并且,在2012年,已经证明了通过使用集成有天线的RTD进行的THz频段无线通信,例如542 GHz频段和3 Gbps数据传输。我们的目标是通过将复合半导体电子器件用于频率梳,来实现大容量THz波段超宽带通信系统。在本文中,我们对阵列振荡器的大信号分析进行了分析,该阵列振荡器是在集成有宽带天线的RTD中构建的,以显示注入锁定和频率梳的特性。%およそ300GHz〜10THzまでのTHz帯と呼ばれる周波数领域は,超高速无线通信やイでージンなのグなどへ用が期待されている。この周波数领域で动作可能な电子デバイスとして共鸣トンネルダィォード(RTD)がある。2011年下一个に1.11THzの基本波発振をした报告がある。また2012年に542GHzのTHz帯において通信容量3Gbpsの通信実験が报告されている。 UWB通信を目指し,広帯域ァンテナ集合积RTDを用いたアレイ化発振源の注入同时や周波数コム特性について明らかにすることを目的とし,大信号解析を行った。その结果,结合素子に抵抗を用い,抵抗また200Ω以下であれば注入同时が可能であることが分かった。また周波数コム特性は本解析条件下では结合素子の抵抗値にほとんど影响しないことが分かつた。

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