小型高利得1GHz帯FET分布増幅回路の設計と試作

摘要

This paper presents design and prototyping of high-gain distributed FET amplifier in 1-GHz band. The distributed FET amplifier requires no matching circuit. So it can achieve broadband, high gain and small size. A single stage amplifier is composed of two FETs. Each gate and drain terminals are connected by inductor. The inductor and the FET parasitic capacitance are regarded as part of distributed line. The fabricated amplifier matches at 50Q, and delivered over 17.1dB over frequency range from 100MHz to lGHz. The circuit measures only 15.0mm × 19.5mm.%1GHz帯で動作するFET分布増幅回路の設計と試作を行った．分布増幅回路は，FETの入力段と出力段に整合回路を必要としないことから，広帯域での高利得化，小型化が期待できる．2個のFETのゲート端子とドレイン端子をそれぞれインダクタで接続して1段増幅回路を構成した．インダクタとFETの寄生容量で等価的に伝送線路を構成した．試作した回路は，100MHzから1GHzにかけて17．1dB以上の利得を有しており，広帯域で安定した利得が得られた．また，基板サイズは縦15．0mm×横19．5mmとなり，分布定数素子を用いる増幅回路と比較して小型であるといえる．