机译:带载波寿命分区的快速p-i-n二极管的物理建模,第二部分:参数提取
Lifetime control; p-i-n diode model; physics-based model; power semiconductor modeling; variable lifetime;
机译:具有载波寿命分区的快速p-i-n二极管的物理建模,第一部分:器件模型
机译:基于形式的基于物理的电路仿真器IGBT和p-i-n二极管模型的两步参数提取和形式优化
机译:高压Algaas P-I-N二极管中的深层缺陷及这些缺陷对少数载体寿命的温度依赖性的影响
机译:具有寿命控制的P-I-N二极管的物理建模与参数提取过程
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
机译:回归模型用于预测阶段III NSCLC两种混合规划方法的物理和EQD2计划参数
机译:具有轴向载流子寿命梯度的P + NN +二极管结构中的OCVD载流子寿命