机译:局部寿命控制IGBT的局部分析建模
Dept. of Eng. Cambridge Univ. UK;
insulated gate bipolar transistors; semiconductor device models; carrier lifetime; carrier density; anodes; electronic engineering computing; numerical analysis; software packages; IGBT 2-D on-state analytical modeling; excess carrier distribution; l;
机译:具有局部寿命控制的IGBT的状态分析模型
机译:具有局部寿命控制的IGBT的状态分析模型
机译:局部寿命控制IGBT的局部分析建模
机译:具有局部寿命控制的IGBT建模
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
机译:在保护随机试验中从中位数10年成果的临床局部前列腺癌中临床局部化前列腺癌的终身成本效果建模
机译:用于IGBT电源模块的剩余有用寿命预后的引线接触降解模型
机译:用控制量热法测定燃料寿命期间燃料能量沉积和传热环境。