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机译:功率MOSFET中单事件栅极破裂和单事件烧断的最新观点
NAVSEA Crane, Crane, IN, USA|c|;
Dielectric rupture; SEB; SEGR; power MOSFET; single-event burnout; single-event gate rupture;
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机译:铟镓砷化物MOSFET的单一事件瞬变,用于SUB-10 NM CMOS技术
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机译:离子原子数对功率MOSFET单事件栅极破裂(SEGR)磁化率的影响
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