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机译:具有最佳输入信号调节功能的90W峰值功率GaN相移放大器
Electron. Res. Lab. (ELCA), Delft Univ. of Technol., Delft, Netherlands;
III-V semiconductors; code division multiple access; gallium compounds; mixed analogue-digital integrated circuits; radiofrequency amplifiers; GaN; GaN outphasing amplifier; RF power amplifier; branch amplifiers; deep-power backoff operation; frequency 2.14 GHz; in-phase modulators; input power leveling; mixed-mode amplifier; multiband base-station implementations; optimum input signal conditioning; power 90 W; quadrature modulators; wideband code division multiple access; Base station; high-efficiency RF power amplifier; outphasing amplifier; wideband code division multiple access (W-CDMA);
机译:高效多模式彼此射频功率放大器,45nm CMOS中具有31.6 dBm峰值输出功率
机译:基于Doherty移相连续谱分析的1-3 GHz数字控制双RF输入功率放大器设计
机译:针对X波段突出功率放大器的信号分量分离
机译:一个112W GaN双输入多相相移功率放大器
机译:用于非恒定包络信号的GaN-on-Si RF开关模式功率放大器。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:具有最佳输入信号调理的90W峰值功率GaN异相放大器