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机译:电热对GSM / DCS频段功率与时间(PVT)变化期间GaAs HBT功率放大器性能的影响
Center for Microwave and RF Technologies (CMRFT), Key Lab of Ministry of Education for the Design and EMC of High-Speed Electronic Systems, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, CHINA;
Electrothermal effect; GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT); Gaussian minimum shift keying (GMSK); finite-element method (FEN); global system for mobile communication (GSM)/digital cellular system (DCS); power amplifier (PA); power versus time (PVT);
机译:用于DCS / GSM双频手机的GaAs HBT功率放大器的ESD效应研究
机译:使用外部基极/中心通孔布局多指HBT的GSM900 / DCS1800双频MMIC功率放大器
机译:适用于便携式无线应用的超低直流功率GaAs HBT S和C波段低噪声放大器
机译:适用于GSM900 / 1800双频应用的3.2V操作单芯片AlGaAs / GaAs HBT MMIC功率放大器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:单电源高效功率放大器的HBT和准E模式PHEMT的性能比较